CP Wen 教授提出GaN HEMT虽然是非常有前景的微波功率放大器件，但也存在特有的稳定性问题，比如电流崩塌、漏极电流分散、记忆效应、功率饱和等。传统的器件模型和材料表征技术也并不完全适用于GaN HEMT这种具有极性特性的半导体结构，如极化载流子实质产生于电子空穴对；III-N异质结构的能带图需要做一定修正；金属接触所扮演的重要作用在表征中往往被忽视。针对这些局限性，CP Wen教授分析了表面自由移动空穴在GaN HEMT器件中的随势垒层厚度改变的情况，且介绍了可移动空穴的密度能够被目前新发展的极性半导体器件表征技术进行测量。CP Wen 教授进而进一步深刻分析了电流崩塌这一主要缺点形成的根本原因。最后启发性的提出新的科学问题，即，在极化半导体异质结构中发现的这种独特的极化诱导的荷电电子空穴对，是否意味着新的载流子传输机制？

    
在讨论环节，蒋然教授针对势垒层厚度变化对HEMT器件表面可移动空穴的影响、2DEG沟道中二维电子气是否存在垂直和水平两个方向上的库伦散射梯度、以及在零偏压下为什么仍有电流的现象，与CP Wen教授进行了深入的讨论。
    
论坛结束后，蒋然教授代表学院对CP Wen教授带来的精彩报告表示感谢，并为CP Wen教授、郝一龙教授赠送纪念牌。