元件手册

MOSFET元件手册

金属氧化物半导体场效应晶体管(英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor缩写MOSFET),是一种可以广泛使用在模拟电路数字电路场效电晶体。金属氧化物半导体场效电晶体依照其通道极性的不同,可分为电子占多数的N通道型与空穴占多数的P通道型,通常被称为N型金氧半场效电晶体(NMOSFET)与P型金氧半场效电晶体(PMOSFET)。

由于集成电路晶片上的金氧半场效电晶体为四端元件,所以除了源极(S)、汲极(D)、闸极(G)外,尚有一基极(Bulk或是Body)。金氧半场效电晶体电路符号中,从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为n型或是p型的金氧半场效电晶体。箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为p型的金氧半场效电晶体,或简称PMOS(代表此元件的通道为p型);反之则代表基极为p型,而通道为n型,此元件为n型的金氧半场效电晶体,简称NMOS。在一般分散式金氧半场效电晶体元件中,通常把基极和源极接在一起,故分散式金氧半场效电晶体通常为三端元件。而在积体电路中的金氧半场效电晶体通常因为使用同一个基极(common bulk),所以不标示出基极的极性,而在PMOS的闸极端多加一个圆圈以示区别。

JFET P-Channel Labelled.svgIGFET P-Ch Enh Labelled.svgIGFET P-Ch Enh Labelled simplified.svgMosfet P-Ch Sedra.svgIGFET P-Ch Dep Labelled.svgP沟道
JFET N-Channel Labelled.svgIGFET N-Ch Enh Labelled.svgIGFET N-Ch Enh Labelled simplified.svgMosfet N-Ch Sedra.svgIGFET N-Ch Dep Labelled.svgN沟道

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